METODA CZOCHRALSKEGA




          Dopiranje                  Uvod v kristalizacijo         Začetek rasti kristalov         Vlečenje ingota           Formirani kristali



75% vseh mono kristalnih rezin z rastjo kristalov po metodi Czochralski (CZ). CZ metoda zahteva kose čistega Silicija, ki se jih vloži v talilni lonec z nekaj elementi imenovanimi dopanti. Najbolj pogosti so Bor, Fosfor, Arzen in Antimon. Dodajanje dopandov prispeva k želenim električnim lasnostim ingota. Ingot postane P ali N tip. z Borom postane P tip, z Fosforjem, Antimonom in Arzenom pa N tip. Maso v talilnem loncu segrevamo na temperaturo tališča Silicija več kot 1420 °C. Po stalitvi Silicija in dopantov posamezni Silicijevi kristali izplavajo na vrh taline. Kristali so že orintirani kot bo kasneje orintiran ingot (P ali N). Ko so izpolnjeni pogoji za rast kristalov se počasi izvleče osnovo iz taline. Rast začenja pri hitrem izvlačenju osnove ter se nato upočasni in dovoli rast ingota v širino. Po dosegu zaželenega premera ingota, se pogoji za rast stabilizirajo in tako zagotovijo premer enak za cel ingot.